cascode jfet 文章 進入cascode jfet技術(shù)社區(qū)
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡？
- 簡介電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計白皮書完整版
- 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://www.biyoush.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://www.biyoush.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
- 關(guān)鍵字： SiC JFET 并聯(lián)設(shè)計
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！
- 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來越重要。我們將詳細(xì)介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內(nèi)容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數(shù)和并聯(lián)振蕩的分析，以及設(shè)計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設(shè)計。簡介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導(dǎo)體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實際上也是通過并聯(lián)芯片實現(xiàn)的。本文總結(jié)了適用于所
- 關(guān)鍵字： JFET Cascode 功率半導(dǎo)體
從硅到碳化硅過渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？
- 電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統(tǒng)硅技術(shù)，基于雙極結(jié)型晶體管（B
- 關(guān)鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源
安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)
- 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
很基礎(chǔ)的MOS管知識
- 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的，所以也叫場效應(yīng)三極管（FET），簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET），另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET JFET
還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)
- JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
- 關(guān)鍵字： 結(jié)型場效應(yīng)管 jfet MOSFET 電路設(shè)計
結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷
- 今天給大家講講結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結(jié)要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應(yīng)晶體管的基極，源極對應(yīng)晶體管的發(fā)射極，漏極對應(yīng)晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測好壞的方法，極性的判斷?？梢渣c擊標(biāo)題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學(xué)會將萬用表設(shè)置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每兩個引腳之間的正反向電阻。當(dāng)兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
- 關(guān)鍵字： 結(jié)型場效應(yīng)管 jfet 電路設(shè)計
如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導(dǎo)線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風(fēng)順，阻力重重的負(fù)載中到處碰壁…… 古人學(xué)問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認(rèn)為看后就能成為高手，當(dāng)然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹(jǐn)以過往經(jīng)歷和拙見與在校學(xué)生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W(xué)習(xí) 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
- 關(guān)鍵字： 仿真 JFET
結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)的基礎(chǔ)知識
- 結(jié)構(gòu)與符號： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！ ?dǎo)電原理： ? ? (1)VGS=0時，N型棒體導(dǎo)電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當(dāng)VGS
- 關(guān)鍵字： JFET
CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流
- 由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應(yīng)該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關(guān)。 CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當(dāng)輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當(dāng)好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
- 關(guān)鍵字： CMOS JFET
場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管 MOS JFET 場效應(yīng)管工作原理
導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu) GaN FET打造高效率開關(guān)
- 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場效應(yīng)管
cascode jfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cascode jfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cascode jfet的理解，并與今后在此搜索cascode jfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cascode jfet的理解，并與今后在此搜索cascode jfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
cascode jfet電路
cascode jfet資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473